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智新科技模块厂开建正在研制SiC功率模块11月8日，武汉经开区发布消息称，智新科技旗下智新半导体的IGBT模块二期项目已经启动建设，预计2024年建成，年产能将达120万只。报道称，该项目总投资2.8亿元，主要将新建两条车规级IGBT模块生产线，同时新增一批特有设备，实现塑封模块的批量生产能力，满足未来第三代半导体的功率模块批量封装测试需求。智新科技副总经理杨守武表示，一期项目产品自去年7月正式下线以来，日均产能保持在1000-1200只左右，年产能达到30万只。值得注意的是，智新科技目前正在研制的第三代碳化硅功率模块，可实现更低损耗、更高效率，并且能承受更高温度和更高的电压。据介绍，2019年6月，智新半导体由东风公司与中国中车两大央企在武汉经开区合资成立。目前，东风旗下的自主乘用车品牌车型已成功搭载了智新自主研发生产的车规级IGBT模块，而且其交付量也在逐月攀升。插播：12月15日，行家说将在深圳举办“全球第三代半导体产业发展高峰论坛”，了解更多有关碳化硅等前沿技术话题，可以扫描下方二维码：
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