(资料图片仅供参考)

该团队开发了一个生长3C-SiC的液相TSSG长晶设备，其生长过程是这样的：首先，在高温石墨坩埚区域中溶解C粉；然后在对流作用下，将C粉从高温区输送到低温区；最后在低温籽晶上进行3C-SiC结晶。

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其实，业界很早就进行3C-SiC的研发，在1987年左右，日本电工实验室开发出第一款基于硅衬底的3C-SiC横向MOSFET。

前面提到，全球研究人员对3C-SiC进行了几十年的努力，但产业化仍然是一个挑战。我们来看看3C-SiC的难点。

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