日前，友达宣布已完成可穿戴式Micro LED显示屏的开发，现将1.39吋圆形智能手表显示屏商用，预计2023年下半年量产。

并且，友达在之后宣布，计划将其位于台湾龙潭区的 LCD 5A 厂改建为 Micro LED 生产线。新生产线将于 2025 年或 2026 年开始生产Micro LED，目标是可穿戴显示器、汽车显示器、电视和标牌显示器。

在Micro LED方面，Innolux也表示，正在与客户合作共同开发 Micro LED 显示器。该公司尚未宣布任何商业化计划，但正在考虑将其中一家 5.5 代 LCD 工厂转为 Micro LED 面板生产。

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一年前，群创光电展示了基于 LTPS 背板的12.3" microLED 拼接无缝显示模块原型。该显示器实现了 700 尼特的亮度和 480x180（40 PPI）的分辨率。

4月18日，芯元基半导体宣布，公司最新研制的弱化结构Micro LED芯片获得韩国客户小批量采购订单。

据介绍，该弱化结构采用浸泡水的方式实现薄膜Micro LED芯片与临时基板分离，客户在胶水解粘的过程中，可以长时间地浸泡水，芯片位置却不会发生移动，工艺窗口宽，产品可用于印章转移等巨量转移工艺开发。

采用化学剥离GaN芯片技术，不仅可以实现GaN材料的无损剥离，而且可以实现将薄膜LED芯片高良率的任意转移到客户需要的客制化临时基板上，更有利于客户加速产业化技术路径开发。

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芯元基半导体称，公司已经完成了多种规格的Micro LED产品协助客户开发巨量转移工艺，已有多家海外客户咨询并采购。

芯元基半导体拥有全球首创的以复合图形化衬底（DPSS）和化学剥离为核心的技术体系，并拥有完整自主知识产权。目前已获中微半导体、上海创徒、张江科投、张江高科、浦东科创、上海自贸区基金等逾亿元投资。

近年来，芯元基半导体大力发展Micro LED，取得不少突破。

目前，芯元基半导体已成功点亮5μm Micro LED 芯片阵列全屏、研发出16*27微米直显用薄膜倒装Micro LED芯片、实现0.41 inch 单色Micro LED微显示屏视频显示、点亮InGaN基红光适合微显示的pitch 8微米Micro LED芯片阵列。

项目方面，2020年11月，芯元基半导体第三代半导体氮化镓项目正式签约安徽池州高新区，投资总额6亿元，分两期建设。一期投资2亿元，包括GaN基DPSS衬底生产线和UVA365nm芯片生产线等；二期投资4亿元，建设行政、生产一体化厂房及配套设施。