(相关资料图)

基极(B)

集电极(C)

发射极(E)

GateG)

Source(S)

Drain(D)

对于BJT晶体管，电流从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。

对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。

这个栅-源阈值电压。你需要更高的电压才能打开晶体管。

这个连续漏电流。这是流经晶体管的最大电流。