功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。当然功率半导体元件除了IGBT之外，还有MOSFET、BIPOLAR等，这些都能用来作为半导体开关，今天单说IGBT的工艺流程。
【资料图】
功率器件IGBT工艺流程
1.基板 |
2.B+注入使用离子注入设备 |
3.绝缘膜形成通过CVD形成掩膜 |
4.掩膜用绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
5.P+注入使用离子注入设备 |
6.形成沟槽通过刻蚀形成沟槽 |
7.形成绝缘膜通过CVD形成绝缘膜 |
8.绝缘膜加工通过刻蚀和去胶处理绝缘膜 |
9.形成Emitter电极通过溅射或蒸镀形成电极 |
10.形成P+FS层通过离子注入设备形成 P+FS层 |
11.形成B+（Collector）通过离子注入设备形成B+（Collector） |
12.形成Collector通过溅射或蒸镀形成Collector |
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