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增强型CoolSiC™ MOSFET 1200V充分利用了基于英飞凌.XT扩散焊技术的改良型TO-247封装。这项技术采用先进的扩散焊工艺。如[4]中所作详细讨论，这种封装技术的主要优点是大幅减小焊接层的厚度（图2），其中，特定的金属合金结合可显著提高导热率。这一特性降低了器件的结-壳热阻（Rthj-case）和热阻抗（Zthj-case）。