尽管有些企业并不看好氮化镓“上车”，但不少案例证明，氮化镓在汽车领域取得了一定突破，上车进程也在进一步加快。

近日，采埃孚宣布开发400V氮化镓逆变器；瑞萨电子也将联手尼得科开发六合一PoC，其中搭载GaN DC-DC/OBC。

(资料图)

6月13日，据日媒消息，采埃孚日本子公司ZF Japan 在 2023 年横滨汽车工程博览会上宣布，他们将从2028年起，为电动汽车推出使用氮化镓（GaN）和氧化镓（Ga₂O₃）制成的功率半导体器件的逆变器，目前采埃孚已在着手研发。

ZF Japan的动力总成经理表示，采埃孚的目标是使用GaN和Ga₂O₃来取代400V逆变器中使用的硅器件。

早在2020年，他们就与以色列VisIC公司联合开发用于电动车的GaN逆变器，目标将其应用于400V电动车中，以降低驱动系统的成本。

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6月5日，据日媒消息，尼得科株式会社（NIDEC）与瑞萨已达成合作，将共同开发搭载SiC/GaN器件的新一代E-Axle系统。

据介绍，尼得科的E-Axle也被称为X-in-1系统，将电机、逆变器和变速箱整合成一个单一的单元，直接安装在车驱动轴上。

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两家公司计划在2023年底前推出第一款采用SiC器件的六合一PoC（Proof of Concept：概念验证）产品，该系统将在电机、逆变器、减速机的基础上，搭载DC-DC转换器、OBC、电源分配单元。

2024年，尼得科和瑞萨电子还计划开发新的集成度较高的第二款X-in-1 PoC，其中包含电池管理系统（BMS）和其他组件。第二款PoC将用GaN来取代DC-DC和OBC的传统功率器件，进一步实现小型化和低成本化。

《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 SiC产业关键技术进展

2.1 SiC特性及技术优势

2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 SiC外延技术分析

2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析

2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析

2.6 SiC模块技术进展及趋势分析

2.7 SiC关键设备和材料技术分析

2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析

第三章 全球SiC半导体产业竞争格局

3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段

3.2 各国/区域SiC代表厂商

3.3 SiC衬底竞争格局

3.4 SiC外延竞争格局

3.5 SiC器件/模块竞争格局

3.6 SiC关键设备/材料竞争格局

《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：

第二章 GaN产业关键技术进展

2.1 GaN特性及技术优势

2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析

2.3 GaN外延技术分析

2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析

2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析

2.6 GaN关键设备和材料技术分析

第四章 全球GaN半导体产业竞争格局

4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段

4.2 各国/区域GaN代表厂商

4.3 GaN衬底竞争格局

4.4 GaN外延竞争格局

4.5 GaN器件/模块竞争格局

4.6 GaN关键设备/材料竞争格局

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