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据麦姆斯咨询报道，近日，湖南先进传感与信息技术创新研究院曹觉先教授和黄凯教授团队在纳米材料领域国际著名期刊《美国化学学会—纳米》（ACS Nano，IF=18.027）在线发表了题为“碳纳米管晶体管结合胶体量子点光敏栅极的高外量子效率光电探测器”（Carbon Nanotube Transistor with Colloidal Quantum Dot Photosensitive Gate for Ultra-High External Quantum Efficiency Photodetector）。论文第一作者为博士研究生韩建富，共同通讯作者为曹觉先教授和黄凯教授。

PbS胶体量子点是开发下一代高性能近红外光电探测器的有力候选者。然而，由于配体隔离以及表面缺陷的存在，PbS胶体量子点通常表现出低的载流子迁移率，这限制了量子点光电子器件性能的进一步提升。

针对这一问题，曹觉先教授和黄凯教授团队通过合理的设计，将PbS胶体量子点光电二极管和碳纳米管薄膜场效应晶体管成功结合，实现了一种具有光敏感栅极的晶体管型近红外探测器。

光生电子与空穴在负栅压与内建电场的双重作用下能快速分离与转移，聚积在栅极电介质层界面的光生电子能产出等效栅电容效应开启碳基晶体管，从而实现光信号向电信号的转换。该项研究提出在光电转换器件中光学模块和电学模块相互分离的结构，可以同时发挥PbS量子点光学和碳纳米管电学的优势。

探测器阵列∣单光电探测器结构∣探测机理∣器件响应度与外量子效应

该论文报道的光电探测器在950 nm近红外光下的响应度和探测率分别为41.9 A/W和3.04×10¹¹ Jones。更重要的是，由于碳基场效应晶体管的放大功能，通过二次电子的增益效应，该器件的外量子效率（EQE）达到5470%。此外，器件还展现出灵活可调的光响应，通过栅电压可在大的范围内控制调节响应性能参数。本文中光电探测器的独特结构和出色性能，为下一代光电探测器件的研究与开发提供了新的思考。

这项研究得到了国家重点研发计划项目以及湖南省教育厅重点项目的资助。

https://doi.org/10.1021/acsnano.3c02064