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近日，芯塔电子正式发布自主研发的1700V/5Ω SiC MOSFET产品。此举进一步丰富了公司SiC产品系列，也是芯塔电子在宽禁带半导体功率器件国产化方面的又一关键里程碑。

据悉，该产品针对高端汽车级应用而开发，击穿电压达到2300V，18V驱动下Rdson的典型值5Ω，15V驱动下典型值为7Ω。产品在开发过程中，研发团队通过改进MOS可靠性，提高了器件的阈值电压，并做了很多优化设计和余量设计，使之更能胜任新能源汽车领域的应用需求。同时，产品具有更小的芯片尺寸，可以有效帮助客户减少成本。

▲ 芯塔电子1700V/5ΩSiC MOSFET电性能参数

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐压简化了应用电路，提升了应用方案的可靠性，大幅降低了系统成本。同时，SiC MOSFET极小漏电流让客户大幅度提升应用性能。得益于芯塔电子国产化供应链保障，产品的成本及供货更具优势和竞争力，目前已获多家客户订单。

▲ 芯塔电子1700V 5ΩSiC MOSFET产品典型应用电路

芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。同时，该产品也为公司光耦继电器合作商迈向800V高端新能源汽车市场提供强大赋能和支持。

▲ 电池绝缘检测

参考来源：芯塔电子

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