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近期，随着Chat GPT引发的生成型AI市场的需求增长，存储更多数据的高性能、高容量存储器需求也在急剧增加。

本次活动中，SK海力士还推出了针对这些需求而进行优化的下一代NAND产品解决方案：采用PCIe 5(Gen5)接口的企业级固态硬盘 (Enterprise SSD, eSSD)及UFS 4.0。

公司希望借助这些能够达到世界级领先性能的产品，充分满足追求高性能客户的需求。

SK海力士还表示，公司在目前积累的产品技术和不断优化企业内部解决方案的基础上，正在积极开发下一代PCI 6.0和UFS 5.0产品，以致力于在未来继续引领市场。

SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达在发表主题演讲时表示：

* 闪存峰会(Flash Memory Summit, FMS): 每年定期在美国加州圣克拉拉举办的全球闪存芯片领域最高级别研讨会。

* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量（比特,bit）可分为SLC(Single level Cell)、MLC （Muti Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等规格。单元信息存储容量越大，意味着单位面积可以储存的数据越多。