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8月24日公告，公司拟在佛山市南海区投资35亿元建设佛山生产基地项目，包括“高精度掩膜版生产基地建设项目”和“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”。

其中高精度掩膜版生产基地建设项目将分三期进行建设，合计拟投资人民币20亿元，其中一期拟投资8亿元；二期拟投资3亿元，三期拟投资9亿元。一期、二期项目拟购置土地50亩（具体面积以最终挂牌面积为准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

高端半导体掩膜版生产基地建设项目将分三期建设，合计拟投资人民币15亿元，其中一期拟投资6.05亿元，二期拟投资2.95亿元，三期拟投资6亿元。一期、二期项目拟购置土地30亩（具体面积以最终挂牌面积为准），自签订《土地出让合同》之月起，在12个月内开工建设、36个月内投产。三期项目将根据宏观环境、市场趋势等情况综合确定及推进。

清溢光电表示，公司此次在广东省佛山市南海区投资建设本项目，旨在充分利用广东省佛山市南海区的人才和资源、营商环境、产业政策支持等方面的综合优势。该项目的投资建设有利于进一步提升公司综合竞争优势和盈利能力，提高产品国产化率。

来源：公告