化合物半导体龙头三安光电旗下子公司，主营碳化硅IDM业务的湖南三安实现净利润为3.32亿元，同比显著增长266.99%

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第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。来自三安光电的领导专家将作大会报告，会议将安排参观考察厦门三安光电与泉州工厂

近期，三安光电公布了2023年半年报，报告期内整体营收约64.69亿元，同比下降4.33%；归属于上市公司股东的净利润1.7亿元，同比下降 81.76%；归属于上市公司股东的扣非净利润为-5.55亿元，总体情况大致与7月份公布的业绩预告相符。

传统LED业务需求低迷，SiC业务强劲增长

按业务板块划分，三安光电收入来源于LED业务、集成电路业务两大板块，，占比分别约为76%、24%。受LED终端市场消费需求低迷影响，三安LED芯片面临降价压力，营收和盈利能力均承压。集成电路业务方面实现销售收入15.22亿元，同比增长4.14%；因碳化硅产能的持续释放，成本降低，毛利率有所提高，加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进，集成电路整体毛利率增加 7.75 个百分点。其中，主做碳化硅IDM业务的子公司湖南三安实现销售收入5.82亿元，同比增长178.86%；净利润为3.32亿元，同比显著增长266.99%。从产能来看，湖南三安现有SiC产能15,000片/月，较2022年底新增3,000片/月，提升25%，GaN-on-Si（硅基氮化镓）产能2,000片/月。

化合物半导体龙头押注SiC业务

根据三安光电官方披露，公司主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售，以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。主要产品应用领域为LED产业、电力电子、射频、光通讯、滤波器。

不难发现，三安光电在第二代与第三代化合物半导体上均有不少布局。其中SiC布局更是大动作不断，除已投产的湖南三安外，也不乏与国内外知名车企及功率器件龙头的合作：

2022年8月24日，理想汽车功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设，主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产。该生产基地由理想汽车与湖南三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造，预计2022年内竣工后进入设备安装和调试阶段，2023年上半年启动样品试制，2024年正式投产后预计产能将逐步提升并最终达到240万只碳化硅半桥功率模块的年生产能力。根据2023半年报披露，苏州斯科半导体已完成动力设备安装、调试，待产线通线后进入试生产。

2023年6月7日，三安光电与意法半导体联合宣布，双方拟出资32亿美元(约合人民币228亿元，三安持股51%，意法49%)在重庆合资建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工厂，新的SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成，规划产能为10,000片/周。同时，三安光电将在当地独资建立一个8英寸碳化硅衬底工厂作为配套，预计投资总额70亿元，达产后产能为48万片/年，基本满足合资工厂需求。

扩产项目井喷，国内外企业加速入局

得益于新能源汽车等行业快速发展，碳化硅功率器件迎来发展空间，国内外企业已经纷纷瞄准碳化硅扩产。

至今年8月，全球SiC产业链上下游龙头宣布较大SiC金额投资，英飞凌、Wolfspeed、意法半导体、三菱电机、罗姆、Soitec、安森美等众多企业纷纷扩产，新导入项目多以6、8英寸为主。其中，wolfspeed与英飞凌均号称建设全球最大的8英寸SiC工厂。

国内企业方面，仅碳化硅相关扩产项目也达到7起。其中，中车时代电气投资111.19亿元计划建设中低压功率器件产业化项目，包括在宜兴子项目（58.26亿元）、株洲子项目（52.93亿元），产能均为36万片/年；长飞先进也拟建设第三代半导体功率器件生产项目，建设内容包括外延、晶圆制造、封测等产线，建设完成后将形成6英寸SiC晶圆及外延36万片/年，功率器件模块6100万个/年；比亚迪则计划斥资2亿元，在深圳市坪山区比亚迪汽车生产基地建设SiC外延中试线量产项目，扩建后将新增SiC外延片产能6000片/年，总产能达18000片/年；天岳先进上海临港项目拟通过优化生产工艺，调整生产那设备、原辅材料、公辅环保设施等方式提高产品质量及产量，调整后6英寸SiC衬底生产规模扩大至96万片/年，产能将扩充220%。此外，南砂晶圆、利普斯半导体、中科意创等均发布扩产公告。

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体是战略性新兴产业的核心材料，在《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》中被列为重点；碳中和与新能源体系变革的背景下，在风电、光伏、新能源汽车、储能等行业应用前景广阔。

据行业机构预测，到2026年，碳化硅产品市场将达35亿美元，氮化镓功率产品市场需求增长到21亿美元。近年来，国内企业如三安、英诺赛科、士兰明镓等不断布局氮化镓项目，全产业链项目约26个，国外龙头如英飞凌等也正积极布局。

在碳化硅功率器件市场，受益于特斯拉的应用需求，意法半导体领先全球市场；Wolfspeed、安森美和罗姆等厂商跟随。衬底、外延、芯片三个环节技术含量密集，是投资和创新重点。碳化硅6英寸衬底技术已经稳定导入产业，8英寸衬底正在探索商业化量产，其中尤以衬底大厂Wolfspeed推进最为迅速，国内企业在提供样品或小规模供货阶段。

第三代半导体技术与材料论坛将于2023年9月21-22日在厦门召开。重点关注碳化硅、氮化镓产业链前景，最新衬底、外延、器件技术与项目投资，碳化硅、氮化镓长晶技术，净化工程与EPC，新兴化合物半导体前沿技术与应用。安排考察厦门三安光电与泉州工厂。

会议主题包括但不限于

国际形势对中国第三代半导体发展的影响

第三代半导体市场及产业发展机遇

6寸与8寸SiC项目投资与市场需求

SiC长晶工艺技术与设备

净化工程与EPC工程项目实践

8英寸SiC国产化进程和技术突破

SiC市场以及技术发展难题&解决方案

SiC与GaN外延片技术进展

大尺寸GaN长晶难点及技术展望

GaN材料技术进展

SiC与GaN器件与下游应用

功率器件封装技术与材料

新兴化合物半导体进展：氧化镓、氮化铝、金刚石、氧化锌

工业参观与考察（厦门三安光电与泉州工厂）

最新会议日程如下：

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2.三代半导体行业政策、市场动向（月度更新）

3.行业重大动向（月度更新）

4.SiC项目建设动态（月度更新）

5.SiC相关技术进展、历史和月度价格走势（月度更新）

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