IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由 BJT(双极型三极管)和 MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降两方面的优点。
IGBT 综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,作为电子电力装置和系统中的“CPU”,高效节能减排的主力军。回顾IGBT的技术发展,IGBT主要经历了7代技术及工艺改进。研究数据显示,电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长。中国作为全球最大的IGBT需求市场,主要市场份额被欧美、日本企业所占据,但是经过多年努力,目前已建立起完整的IGBT产业链,下面将按照IDM、设计、制造、模组分类盘点国内IGBT产业链主要企业——中车时代电气
比亚迪微电子
士兰微
(资料图)
华微电子
重庆华润微
台基股份
扬杰科技
中科君芯
达新半导体
紫光微电子
无锡新洁能
芯派科技
华虹宏力
上海先进
中芯国际
方正微电子
华润上华
嘉兴斯达
芯能半导体
西安永电
宏微科技
威海新佳
银茂微电子
来源:半导体封装工程师之家
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